氣體流量計生產(chǎn)過程是什么

上海上儀四廠(1)測量待測氣體的流量，其中熱元件是摻雜有高濃度雜質(zhì)的硅(Si)半導(dǎo)體膜，并且氣體流量計包含屏蔽層，該屏蔽層布置為硅(Si)半導(dǎo)體膜的上層和下層，并且形成在至少覆蓋腔室的區(qū)域中。在熱處理的生熱溫度范圍內(nèi)，屏蔽層的滲透性較低并吸收氫。

　　利用這種配置，可以通過使用屏蔽層來減少熱元件的電阻值的老化變化和氣體流量計的老化變化。

　　(2)在上述氣體流量計(1)中，屏蔽層可以包括化學(xué)計量穩(wěn)定的氮化硅(Si3N4)膜。

　　(3)在上述氣體流量計(1)中，優(yōu)選的是，硅(Si)半導(dǎo)體膜是施加有雜質(zhì)的多晶硅(Si)半導(dǎo)體膜，并且多晶硅(Si)半導(dǎo)體膜摻雜有高濃度的磷(P)或硼(B)作為雜質(zhì)。

　　(4)在上述氣體流量計(1)中，優(yōu)選以高濃度施加摻雜，使得硅(Si)半導(dǎo)體膜的電阻率為8×10-4ω·cm或更小。

　　(5)為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種氣體流量計，其包括形成有空腔的半導(dǎo)體襯底和至少一個熱元件，該熱元件通過絕緣膜形成在半導(dǎo)體襯底的空腔上方，以測量待測氣體的流量，其中硅(Si)半導(dǎo)體膜通過摻雜雜質(zhì)是多晶的，并且多晶硅(Si)膜摻雜有高濃度的磷(P)或硼(B)作為雜質(zhì)。并且該氣體流量計包含屏蔽層，該屏蔽層被布置為硅(Si)半導(dǎo)體膜的上層和下層，并且形成在至少覆蓋腔室的區(qū)域中，并且該屏蔽層在熱處理的發(fā)熱溫度范圍內(nèi)具有較低的滲透性并吸收氫。

　　利用這種配置，可以通過使用屏蔽層來減少熱元件的電阻值的老化變化和氣體流量計的老化變化。　　

　　好了，上海上儀四廠以上就是本次的全部內(nèi)容了，希望能幫助到大家。