氣體流量計生產過程是什么

上海上儀四廠(1)測量待測氣體的流量，其中熱元件是摻雜有高濃度雜質的硅(Si)半導體膜，并且氣體流量計包含屏蔽層，該屏蔽層布置為硅(Si)半導體膜的上層和下層，并且形成在至少覆蓋腔室的區域中。在熱處理的生熱溫度范圍內，屏蔽層的滲透性較低并吸收氫。

　　利用這種配置，可以通過使用屏蔽層來減少熱元件的電阻值的老化變化和氣體流量計的老化變化。

　　(2)在上述氣體流量計(1)中，屏蔽層可以包括化學計量穩定的氮化硅(Si3N4)膜。

　　(3)在上述氣體流量計(1)中，優選的是，硅(Si)半導體膜是施加有雜質的多晶硅(Si)半導體膜，并且多晶硅(Si)半導體膜摻雜有高濃度的磷(P)或硼(B)作為雜質。

　　(4)在上述氣體流量計(1)中，優選以高濃度施加摻雜，使得硅(Si)半導體膜的電阻率為8×10-4ω·cm或更小。

　　(5)為了實現上述目的，本發明提供了一種氣體流量計，其包括形成有空腔的半導體襯底和至少一個熱元件，該熱元件通過絕緣膜形成在半導體襯底的空腔上方，以測量待測氣體的流量，其中硅(Si)半導體膜通過摻雜雜質是多晶的，并且多晶硅(Si)膜摻雜有高濃度的磷(P)或硼(B)作為雜質。并且該氣體流量計包含屏蔽層，該屏蔽層被布置為硅(Si)半導體膜的上層和下層，并且形成在至少覆蓋腔室的區域中，并且該屏蔽層在熱處理的發熱溫度范圍內具有較低的滲透性并吸收氫。

　　利用這種配置，可以通過使用屏蔽層來減少熱元件的電阻值的老化變化和氣體流量計的老化變化。　　

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